RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 433–436 (Mi phts5528)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии

В. И. Орловab, Н. А. Ярыкинa, Е. Б. Якимовac

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Методами тока, индуцированного электронным или оптическим пучками, исследовано изменение рекомбинационных свойств индивидуальных дислокаций и дислокационных следов в кремнии в результате диффузии никеля и меди в процессе химико-механической полировки при комнатной температуре. Обнаружено, что введение никеля приводит к росту рекомбинационной активности как дислокаций, так и дислокационных следов. Введение меди не вызывает существенного изменения контраста протяженных дефектов.

Поступила в редакцию: 13.11.2018
Исправленный вариант: 20.11.2018
Принята в печать: 20.11.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47672.9020


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:4, 411–414

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024