RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 462–465 (Mi phts5533)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние фазового перехода второго рода на электропроводность структуры металл/полупроводник

И. Р. Набиуллинa, Р. М. Гадиевa, А. Н. Лачиновb

a Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, г. Уфа
b Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН

Аннотация: Представлены результаты исследования свойств потенциального барьера Cr–$p$-Si вблизи температур фазового перехода антиферромагнетик/парамагнетик в Cr. Обнаружено значительное изменение потенциального барьера и аномальное увеличение проводимости в структуре Cr–$p$-Si-Au вблизи температуры фазового перехода 2-го рода антиферромагнетик/парамагнетик в хроме. Установлено, что по мере приближения к температуре фазового перехода в структуре наблюдается нарастание флуктуаций тока. Интерпретация полученных экспериментальных результатов строится на предположении о том, что наблюдаемые изменения электронных транспортных свойств контакта Cr–Si обусловлены изменением положения квазиуровня Ферми хрома в результате фазового перехода 2-го рода.

Поступила в редакцию: 15.11.2018
Исправленный вариант: 26.11.2018
Принята в печать: 26.11.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47439.9021


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:4, 439–441

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024