RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 540–549 (Mi phts5549)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка

Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. В. Нащекин, А. В. Парфеньева, Д. А. Ложкина, М. В. Томкович, Ю. А. Кукушкина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Хорошо известный способ получения слоев макропористого кремния с помощью электрохимического и фотоэлектрохимического травления монокристаллических пластин является малопроизводительным и дорогим. В качестве альтернативного метода получения объемного макропористого кремния можно использовать высокотемпературное спекание порошка Si. В работе проведены исследования процесса спекания нанопорошка, предварительно прошедшего холодную компрессию всухую (без связующих добавок). Изучены свойства полученного материала (микроструктура, плотность и электропроводность) в зависимости от температуры и времени отжига. Обсуждаются способы изменения пористости спеченных образцов и методы определения площади внутренней поверхности.

Поступила в редакцию: 12.11.2018
Исправленный вариант: 22.11.2018
Принята в печать: 26.11.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47455.9019


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:4, 530–539

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024