Прыжковое магнитосопротивление аморфных полупроводников, содержащих дефекты с положительной энергией корреляции, на переменном токе

Вычислено низкочастотное прыжковое магнитосопротивление (МС) аморфных полупроводников со сплошным спектром локализованных состояний, создаваемых дефектами с положительной энергией корреляции. Показано, что вклад в MC, обусловленный уменьшением числа пар, содержащих 2 электрона с противоположными спинами, может значительно превосходить вклад, связанный с изменением волновых функций локализованных состояний в магнитном поле. По этой причине МС на переменном токе может быть большим при низких температурах, где измерения проводимости и МС аморфных полупроводников на постоянном токе обычно невозможны. Изучение МС на переменном токе может дать информацию о плотности локализованных состояний в щели для подвижности аморфного полупроводника.