RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 576–582 (Mi phts5553)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Оптические и структурные свойства наноструктур Ag и $c$-Si, формирующихся в процессе металл-стимулированного химического травления кремния

Ю. А. Жарова, В. А. Толмачев, С. И. Павлов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Работа, состоящая из двух частей, посвящена изучению особенностей трeхстадийного процесса металл-стимулированного химического травления кремния (МCХТ), используемого для получения кремниевых нанонитей. Ранее нами было проведено исследование слоя самоорганизующихся наночастиц серебра, осаждаемых химическим методом из раствора на поверхности монокристаллического кремния ($c$-Si) (стадия 1 МСХТ), а в настоящей работе – наноструктур Si, формируемых на стадиях 2 и 3. С помощью спектральной эллипсометрии (длины волн $\lambda$ = 250–900 нм) определены псевдодиэлектрические функции наноструктур и проведено их сопоставление для всех трех стадий процесса МСХТ. Кроме того, для наноструктур Si вычислены параметры слоев (толщина и доля пустот) в многослойной оптической модели с использованием приближения эффективной среды Бруггемана и подгоночных процедур.

Поступила в редакцию: 20.11.2018
Исправленный вариант: 27.11.2018
Принята в печать: 27.11.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47459.9024


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:4, 566–572

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024