RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 314–316 (Mi phts5558)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии

В. Б. Шуманa, А. Н. Лодыгинa, Л. М. Порцельa, А. А. Яковлеваa, Н. В. Абросимовb, Ю. А. Астровa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Leibnitz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany

Аннотация: Изучался распад твердого раствора межузельного магния Mg$_{i}$ в кремнии. В опытах использовался бестигельный бездислокационный монокристаллический $n$-Si c величиной удельного сопротивления $\sim$8 $\cdot$ 10$^{3}$ Ом $\cdot$ см, содержанием кислорода $\sim$5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$ и углерода $\sim$1 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Образцы легировались диффузионным сандвич-методом при $T$ = 1100$^\circ$C и закаливались. Распад пересыщенного твердого раствора Mg$_{i}$ изучался путем исследования кинетики увеличения удельного сопротивления легированных образцов в результате отжигов в диапазоне $T$ = 400–620$^\circ$C. Найдено, что процесс распада характеризуется энергией активации $E_{a}\approx$ 1.6 эВ, что близко к определенной ранее энергии активации диффузии Mg$_{i}$ в кремнии. Показано также, что при температурах, не превышающих 400$^\circ$C, Si : Mg обнаруживает стабильные свойства, что важно при его возможном практическом использовании.

Поступила в редакцию: 16.10.2018
Исправленный вариант: 22.10.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47280.9005


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 296–297

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024