Эта публикация цитируется в
3 статьях
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии
В. Б. Шуманa,
А. Н. Лодыгинa,
Л. М. Порцельa,
А. А. Яковлеваa,
Н. В. Абросимовb,
Ю. А. Астровa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Leibnitz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Аннотация:
Изучался распад твердого раствора межузельного магния Mg
$_{i}$ в кремнии. В опытах использовался бестигельный бездислокационный монокристаллический
$n$-Si c величиной удельного сопротивления
$\sim$8
$\cdot$ 10
$^{3}$ Ом
$\cdot$ см, содержанием кислорода
$\sim$5
$\cdot$ 10
$^{14}$ см
$^{-3}$ и углерода
$\sim$1
$\cdot$ 10
$^{15}$ см
$^{-3}$. Образцы легировались диффузионным сандвич-методом при
$T$ = 1100
$^\circ$C и закаливались. Распад пересыщенного твердого раствора Mg
$_{i}$ изучался путем исследования кинетики увеличения удельного сопротивления легированных образцов в результате отжигов в диапазоне
$T$ = 400–620
$^\circ$C. Найдено, что процесс распада характеризуется энергией активации
$E_{a}\approx$ 1.6 эВ, что близко к определенной ранее энергии активации диффузии Mg
$_{i}$ в кремнии. Показано также, что при температурах, не превышающих 400
$^\circ$C, Si : Mg обнаруживает стабильные свойства, что важно при его возможном практическом использовании.
Поступила в редакцию: 16.10.2018
Исправленный вариант: 22.10.2018
DOI:
10.21883/FTP.2019.03.47280.9005