Особенности высокотемпературной люминесценции эпитаксиальных слоев карбида кремния, легированных бором

Исследована высокотемпературная люминесценция (ВТЛ) эпитаксиалышх слоев (ЭС) $6H$-SiC$\langle$B$\rangle$, полученных путем сублимации и легированных бором при росте или диффузии. Показано, что эффективная ВТЛ в ЭС SiC наблюдается при значительно меньших концентрациях бора и азота в случае, если они выращены при пониженных температурах (${T_{g}\leqslant2200}$ K). Отмечается высокая интенсивность ВТЛ низкотемпературных ЭС SiC не только $n$-, но и $p$-типа электропроводности, особенно при их росте в избытке ларов Si. Коренные различия люминесцентных свойств высокотемпературных и низкотемпературных образцов ЭС SiC связываются с различным состоянием в них собственных дефектов.