RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 332–339 (Mi phts5562)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ

В. В. Привезенцевa, В. С. Куликаускасb, В. А. Скуратовc, О. С. Зиловаd, А. А. Бурмистровd, М. Ю. Пресняковe, А. В. Горячевf

a Физико-технологический институт РАН, г. Москва
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
c Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.
d Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
e Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
f ООО "Cи Эн Эл Девайсез", Москва, г. Зеленоград

Аннотация: Подложки монокристаллического $n$-Si с ориентацией (100) были имплантированы ионами $^{64}$Zn$^{+}$ с дозой 5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$ и энергией 50 кэВ. Затем образцы подвергались облучению при комнатной температуре ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ в диапазоне флюенсов от 1 $\cdot$ 10$^{12}$ до 5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$. Визуализация поверхности и поперечного сечения образцов проводилась с помощью растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Распределение имплантированного цинка и его оксида исследовалось методом времяпролетной вторично-ионной масс. После облучения Xe на поверхности образца обнаружены кластеры, состоящие из смеси Zn$\cdot$ZnO, и поверхностные поры. В подповерхностном слое аморфизованного кремния зафиксированы фазы цинка и его оксида. После облучения Xe с флюенсом 5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ кластеры цинка или его оксида используемыми методами исследований в образцах не обнаружены.

Поступила в редакцию: 04.09.2018
Исправленный вариант: 10.09.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47284.8979


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 313–320

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024