RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 401–406 (Mi phts5572)

Физика полупроводниковых приборов

Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$$n$$n^{+}$-структур

Н. И. Подольская, П. Б. Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены результаты численного моделирования недавно открытого явления – субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$$n$$n^{+}$-структур, инициированного быстро нарастающим высоковольтным импульсом. Показано, что электрическое поле в $n^{+}$$n$$n^{+}$-структуре на этапе роста напряжения практически однородно вдоль направления тока и достигает эффективного порога ударной ионизации $\sim$200 кВ/см на всей толщине структуры. Сравнение результатов численного моделирования и экспериментов указывает на однородность распределения поля и в поперечном к току направлении. Таким образом, сверхбыстрый лавинный пробой происходит квазиоднородно во всем объеме структуры. Время переключения составляет $\sim$150 пс. Проведено сравнение результатов расчетов для разных моделей ударной ионизации. Даны оценки параметров инициирующего импульса напряжения, необходимого для переключения кремниевых $n^{+}$$n$$n^{+}$-структур.

Поступила в редакцию: 17.10.2018
Исправленный вариант: 25.10.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47294.8984


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:3, 379–384

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024