Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4$H$-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)

Проведено моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратно смещенным 4$H$-SiC $p$–$n$-диодом в качестве емкостного элемента. Для моделирования использовался программный модуль ATLAS, входящий в состав системы приборно-технологического проектирования SILVACO TCAD. Предложен и опробован альтернативный имеющемуся в ATLAS способ задания параметров легирующих примесей, частично ионизированных в 4$H$-SiC при комнатной температуре. (Имеющаяся в модуле ATLAS физическая модель INCOMPLETE, описывающая неполную ионизацию легирующих примесей в полупроводниках, непригодна для моделирования динамических характеристик приборов). Результаты моделирования обсуждаются в свете полученных ранее результатов экспериментальных исследований.