Проявления $A^{+}$-центров и $A^{+}_{2}$-комплексов в кинетике релаксации примесной фотопроводимости дырочного кремния

Исследована кинетика примесной фотопроводимости (ПФП) образцов Si : В с концентрацией бора ${N_{\text{B}}=(1\div7)\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ и степенью компенсации ${K< 10^{-3}}$. Измерения ПФП проводились в области температур ${7\div18}$ K при слабой фоновой подсветке полупроводника. Установлены природа и характеристики доминирующих центров прилипания для дырок в функции от величины N$_{\text{B}}$. При ${N_{\text{B}}\lesssim10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ прилипание дырок происходит главным образом на изолированные нейтральные атомы бора с образованием $A^{+$-цент}ров. При ${N_{\text{B}}\gtrsim4\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ имеет место прилипание на пары нейтральных акцепторов с образованием $A^{+_{2}$-комп}лексов, причем доминируют комплексы, образованные ближайшими атомами, находящимися на наиболее вероятном расстоянии. Найденные значения энергий сродства дырок $E(A^{+}_{2})$ к $A^{0}_{2}$-комплексам близки к значениям, рассчитанным в рамках модели $\delta$-потенциала.