Н. А. Соболев, О. В. Александров, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, А. Е. Калядин, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, “Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2,страницы 161

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия

Н. А. Соболев^a, О. В. Александров^b, В. И. Сахаров^a, И. Т. Серенков^a, Е. И. Шек^a, А. Е. Калядин^a, Е. О. Паршин^c, Н. С. Мелесов^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c Ярославский филиал Физико-технологического института РАН

Аннотация: Установлено, что имплантация выращенного методом Чохральского кремния p-типа проводимости ионами германия с энергией 1 МэВ и дозой 2.5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. При последующем высокотемпературном отжиге имплантированных образцов происходит трансформация электрически активных акцепторных центров. Их концентрация и пространственное распределение зависят от температуры отжига. Обсуждаются возможные факторы, определяющие процесс их формирования.

Поступила в редакцию: 28.08.2018
Исправленный вариант: 10.09.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47092.8977