RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 174–180 (Mi phts5583)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структурные, оптические и фоточувствительные свойства пленок PbS, осажденных в присутствии CaCl$_{2}$

Л. Н. Маскаеваab, Е. В. Мостовщиковаc, В. Ф. Марковab, В. И. Воронинc

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
b Уральский институт Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий, Екатеринбург, Россия
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Синтезированы поликристаллические пленки сульфида свинца PbS, легированного кальцием, на подложках из ситалла и стекла методом гидрохимического осаждения с использованием тиокарбамида и добавки CaCl$_{2}$ до 5 ммоль/л. Введение добавки CaCl$_{2}$ в реакционный раствор существенно увеличивает индукционный период процесса синтеза. Толщина пленок PbS составляет 200 нм, PbS(Ca) – 150 нм при среднем размере кристаллитов $\sim$100 нм. Максимальная концентрация кальция в составе пленок составляет 0.06 ат% для слоев на ситалле и 0.11 ат% для слоев на стекле. Легирование кальцием не влияет на кристаллическую структуру сульфида свинца (кубическая B1 структура, пространственная группа $Fm3\bar m$), но приводит к увеличению периода кристаллической решетки с $a$ = 0.59343(2) до $a$ = 0.59413(1) нм, а также к росту величины микродеформаций и частичному упорядочению кристаллитов, формирующих пленку. Ширина запрещенной зоны уменьшается при введении кальция от $E_{g}$ = 0.40 эВ при 295 K (0.38 эВ при 90 K) до $E_{g}$ = 0.38 эВ (0.37 эВ). Введение в реакционную смесь CaCl$_{2}$ до 5 ммоль/л приводит к повышению вольт-ваттной чувствительности пленок в $\sim$1.7 раза, что связывается с образованием в их составе кислородсодержащих соединений в результате увеличения длительности индукционного периода процесса синтеза.

Поступила в редакцию: 14.05.2018
Исправленный вариант: 29.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47095.8907


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:2, 165–171

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024