Эффект Холла в одноосно деформированном $n$-Ge вблизи перехода металл–полупроводник

На кристаллах Ge : Sb и Ge : As с концентрациями электронов от ${1.1\cdot10^{17}}$ до ${1.5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ подвергнутых одноосному сжатию вдоль оси $\langle111\rangle$ до 7 кбар, измерены температурные зависимости коэффициента Холла $R(T)$. Измерения проводились при температурах $4.2{-}250$ K в магнитных полях 1$-$2 кЭ. Обнаружен ряд особенностей эффекта Холла, которые удается объяснить, если исходить из того, что наличие максимума $|R(T)|$ и другие особенности коэффициента Холла обусловлены вкладом в явления переноса разных групп электронов с заметно различающимися подвижностями.