RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 226–230 (Mi phts5591)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO

А. П. Новицкийab, И. А. Сергиенкоa, С. В. Новиковb, К. В. Кусковa, Д. В. Лейбоa, Д. С. Панкратоваa, А. Т. Бурковb, В. В. Ховайлоa

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования термоэлектрических свойств объемных образцов оксиселенидов Bi$_{1-x}$Pr$_{x}$CuSeO ($x$ = 0, 0.04, 0.08) и Bi$_{0.96}$La$_{0.04}$CuSeO $p$-типа проводимости, полученных методом твердофазного синтеза. Измерены температурные зависимости термоэдс, электросопротивления и теплопроводности от комнатной температуры до 800 K. Во всем интервале температур наблюдается снижение удельного электросопротивления и термоэдс с увеличением концентрации замещающего элемента, в то время как теплопроводность при замещении висмута редкоземельными элементами практически не изменяется. Несмотря на то что номинальная валентность Bi, La и Pr одинакова, замещение висмута ионами редкоземельных элементов приводит к увеличению концентрации носителей заряда, что может быть вызвано разницей электронных конфигураций ионов, и, как следствие, смещением уровня Ферми в валентную зону.

Поступила в редакцию: 13.06.2018
Исправленный вариант: 18.06.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47103.8932


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:2, 215–219

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024