Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А

Представлены результаты исследования впервые предложенных и выращенных полупроводниковых структур, сочетающих свойства LT-GaAs и $p$-тип проводимости при легировании кремнием. Структуры представляют собой сверхрешeтки $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$, где слои LT-GaAs выращены при низкой температуре, в диапазоне 280–350$^\circ$С, а слои GaAs:Si – при более высокой температуре, 470$^\circ$С. Дырочный тип проводимости при легировании кремнием обеспечивался использованием подложек GaAs (111)A, выбором температуры роста и соотношения потоков As$_{4}$ и Ga. Концентрация дырок монотонно уменьшается с понижением температуры роста слоeв LT-GaAs от 350 до 280$^\circ$С, что объясняется увеличением шероховатости границ раздела слоeв и формированием обеднeнных носителями заряда областей на границах слоeв GaAs:Si и LT-GaAs. Эволюция спектров фотолюминесценции при 77 K, вызванная изменением температуры роста LT-GaAs, интерпретирована как обусловленная изменением концентрации точечных дефектов Ga$_{\mathrm{As}}$, $V_{\mathrm{Ga}}$, а также комплексов Si$_{\mathrm{Ga}}$–$V_{\mathrm{Ga}}$, $V_{\mathrm{As}}$–Si$_{\mathrm{As}}$, Si$_{\mathrm{As}}$–Si$_{\mathrm{Ga}}$.