RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 248–250 (Mi phts56)

Солнечные элементы на основе МДП структур с туннельно тонким диэлектриком

С. Г. Асатрян, Г. А. Курбатов


Аннотация: Рассмотрены электрофизические свойства кремниевых солнечных элементов на основе МТДП структур с просветляющим покрытием из пленки пятиокиси тантала (Та$_{2}$O$_{5}$), полученной реактивным магнетронным распылением.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.04.1985
Принята в печать: 23.07.1985



© МИАН, 2024