Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси

Рассмотрены особенности применения метода электрохимического вольт-фарадного профилирования для исследования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси. Приведены критерии и даны рекомендации выбора оптимальных параметров измерения, обоснована необходимость увеличения частоты, при которой измеряется емкость в процессе профилирования. Описанная методика рассмотрена на примере профилирования кремниевых структур $p$-типа с ионной имплантацией, а также $n$-GaAs эпитаксиальных и подложечных структур для $p$HEMT приборов.