Исследование влияния легирования железом на люминесценцию монокристаллов селенида цинка

Исследовано влияние легирования железом (термодиффузия с поверхности) на люминесценцию монокристаллов селенида цинка в диапазоне длин волн 0.44–0.72 мкм и пространственное распределение центров люминесценции. Методом двухфотонной конфокальной микроскопии получены плоские" и объемные" карты краевой (экситонной) и примесно-дефектной люминесценции в указанном выше спектральном диапазоне, как в легированных, так и в нелегированных кристаллах. Показано, что области кристалла с высокой концентрацией железа имеют низкую интенсивность люминесценции в этом диапазоне. Обнаружено, что в процессе диффузии образуется несколько типов примесно-дефектных центров, распределение которых в объеме кристаллов носит сложный характер. Обсуждается природа этих центров.