RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 70–76 (Mi phts5614)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки

П. В. Серединa, Д. Л. Голощаповa, Д. С. Золотухинa, А. С. Леньшинa, А. Н. Лукинa, А. М. Мизеровb, Е. В. Никитинаb, И. Н. Арсентьевc, Harald Leisted, Monika Rinked

a Воронежский государственный университет
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany

Аннотация: С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке монокристаллического кремния $c$-Si(111) и подложке с нанопористым буферным подслоем (por-Si) нами были выращены интегрированные гетероструктуры с наноколончатой морфологией пленки In$_{x}$Ga$_{1-x}$N. С привлечением комплекса спектроскопических методов анализа было показано, что рост наноколонок In$_{x}$Ga$_{1-x}$N на нанопористом буферном слое имеет ряд преимуществ по сравнению с ростом на $c$-Si. Данные pамановской и УФ-спектроскопии подтверждают рост наноколончатой структуры, а также находятся в согласии с данными рентгеновской дифракции из нашей предыдущей работы о том, что слой In$_{x}$Ga$_{1-x}$N находится в напряженном, нерелаксированном состоянии. Рост наноколонок In$_{x}$Ga$_{1-x}$N на пористом слое Si положительно отражается на оптических свойствах гетероструктур. При неизменной полуширине эмиссионной линии в спектре ФЛ интенсивность квантового выхода от образца гетероструктуры, выращенной на пористом буферном слое Si, выше на величину $\sim$25%, чем интенсивность от пленки, выращенной на кристаллическом кремнии.

Поступила в редакцию: 12.04.2018
Исправленный вариант: 21.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46990.8889


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:1, 65–71

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024