NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм

Представлены результаты исследований фотоэлектрических характеристик nBn-структуры, обеспечивающей возможность создавать на ее основе фотодиоды с длинноволновой границей чувствительности, достигающей 5 мкм. Расчеты, сделанные на основе полученных результатов, показывают, что указанные фотодиоды сравнимы по пороговой фоточувствительности с традиционными аналогами. На основе полученных экспериментальных результатов и теоретических оценок предложена модель зонной диаграммы nBn-структуры, позволяющая оценить влияние потенциальных барьеров в валентной зоне широкозонного слоя и на его границах с узкозонными слоями на чувствительность nBn-фотодиодов. При построении модели важное значение имели результаты, полученные при экспериментальном исследовании зависимости термической энергии активации фототока от напряжения смещения фотодиода.