RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1675–1682 (Mi phts5648)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей

С. Е. Никитинa, А. В. Бобыльab, Н. Р. Авезоваc, Е. И. Теруковa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз, Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Рассмотрены причины отказов высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей. Около 30% отказов происходит из-за образования трещин в кремниевых пластинах и электродах. Механические напряжения, приводящие к образованию трещин, связаны с пирамидальной геометрией текстуры и разностью теплового расширения материалов конструкции. Описана новая методика текстурирования кремния, где функцию зародышей текстуры выполняют преципитаты SiO$_{x}$, что позволяет получать поверхность состоящую из вогнутых сфероидов cубмикронных размеров, резко уменьшающую отражение в области длин волн 330–550 нм. Предложен способ согласования теплового расширения элементов конструкции фотопреобразователей с использованием согласующих слоев железоникелевых сплавов, что дает существенное уменьшение вероятности отказов по механизму образования трещин в кремниевых пластинах и отслаивания электродов.

Поступила в редакцию: 18.06.2018
Принята в печать: 06.07.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46886.8938


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:13, 1782–1789

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024