Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов к лавинному пробою

Проведены исследования электротеплового пробоя в высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодах c толщиной $n_{0}$-базы 7.5 мкм, концентрацией доноров 8.0 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$ и площадью 4.9 $\cdot$ 10$^{-4}$ см$^{2}$. Устойчивость диодов к лавинному пробою охарактеризована максимальной энергией одиночного импульса лавинного тока, которая может быть рассеяна диодом до того, как происходит его катастрофический отказ (деструкция). При длительности импульса $\sim$1 мкс максимальная энергия составляет 1.4 мДж (2.9 Дж/см$^{2}$). Показано, что деструкция диодов вызвана локальным перегревом структуры диода до температуры около 1600 K, при которой концентрация собственных носителей становится больше концентрации легирующих доноров в блокирующей $n_{0}$-базе.