RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1268–1273 (Mi phts5678)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц

Р. А. Хабибуллинa, Н. В. Щаврукa, Д. С. Пономаревa, Д. В. Ушаковb, А. А. Афоненкоb, И. С. Васильевскийc, А. А. Зайцевd, А. И. Даниловe, О. Ю. Волковf, В. В. Павловскийf, К. В. Маремьянинg, В. И. Гавриленкоg

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
b Белорусский государственный университет, г. Минск
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
d Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
e Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
f Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
g Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Предложена конструкция активной области квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот на основе трех туннельно-связанных квантовых ям GaAs/Al$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As c резонансно-фононным дизайном. Рассчитаны уровни энергии, матричные элементы дипольных переходов и спектры усиления в зависимости от напряженности приложенного электрического поля $F$ и температуры. Показано, что максимальное усиление реализуется на частоте 3.37 ТГц при $F$ = 12.3 кВ/см. На основе предложенной конструкции изготовлен квантово-каскадный лазер с двойным металлическим волноводом, излучающий на частоте $\sim$3.3 ТГц при $T_{\operatorname{max}}$ $\sim$84 K. Из зависимости выходной мощности от температуры определена энергия активации $E_a$ = 23 мэВ испускания LO-фононов при рекомбинации электронов с верхнего лазерного уровня на нижний.

Поступила в редакцию: 04.06.2018
Принята в печать: 14.06.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46581.03


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1380–1385

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024