RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1304–1307 (Mi phts5685)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

Г. Э. Цырлинabcd, Р. Р. Резникc, Ю. Б. Самсоненкоab, А. И. Хребтовac, К. П. Котлярa, И. В. Илькивa, И. П. Сошниковabd, Д. А. Кириленкоd, Н. В. Крыжановскаяa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа “вставка InAsP, внедренная в InP нитевидный нанокристалл”, выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Установлено, что возможно получение практически 100% когерентных нитевидных нанокристаллов с поверхностной плотностью, варьируемой в широком интервале, и установлена взаимосвязь между структурными и оптическими свойствами выращенных нитевидных нанокристаллов. Показано, что исследуемые нитевидные нанокристаллы являются чистыми с точки зрения кристаллографической фазы (вюрцит). Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и кремния.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46588.10


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1416–1419

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024