RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1313–1316 (Mi phts5687)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si$_{1-x}$Mn$_{x}$, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа

О. А. Новодворскийa, В. А. Михалевскийa, Д. С. Гусевa, А. А. Лотинa, Л. С. Паршинаa, О. Д. Храмоваa, Е. А. Черебылоa, А. Б. Дровосековb, В. В. Рыльковcd, С. Н. Николаевc, К. Ю. Черноглазовc, К. И. Маслаковe

a Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук – филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Московская обл., Россия
b Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
d Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
e Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Изучена серия тонких пленок сплавов Si$_{1-x}$Mn$_{x}$ толщиной от 50 до 100 нм, выращенных методом импульсного лазерного осаждения на подложке Al$_{2}$O$_{3}$ в вакууме и в атмосфере аргона. Показано существенное влияние давления буферного газа в ростовой камере на структурную и магнитную однородность полученных пленок. Исследованы условия формирования в образцах ферромагнитной фазы с высокой температурой Кюри ($>$ 300 K). Методом зонда Ленгмюра определен порог абляции мишени MnSi излучением второй гармоники ($\lambda$ = 532 нм) Nd : YAG-лазера с модуляцией добротности. Получены времяпролетные кривые для ионов факела при изменении плотности энергии на мишени и давления аргона в напылительной камере. Установлена немонотонная зависимость амплитуды зондового времяпролетного сигнала от давления аргона для высокоэнергичных частиц факела.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46590.12


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1424–1427

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024