Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11,страницы 1317

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена

Р. Р. Резник^a, К. П. Котляр^b, И. В. Илькив^b, И. П. Сошников^bcd, С. П. Лебедев^d, А. А. Лебедев^d, Д. А. Кириленко^d, П. А. Алексеев^d, Г. Э. Цырлин^b

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые была продемонстрирована принципиальная возможность синтеза GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке карбида кремниям с пленкой графена. InP-нанокристаллы на такой подложке не имеют дефектов упаковки и обладают идеальным кристаллографическим качеством, в то время как GaP нитевидные кристаллы имеют структурные дефекты типа двойников/перекидок кристаллографических фаз у вершины и основания. Результаты структурных исследований показали, что нитевидные нанокристаллы сформировались в вюрцитной фазе, не типичной для объемных III–V материалов.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46591.13