RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1321–1325 (Mi phts5689)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек

П. А. Юнинa, П. В. Волковa, Ю. Н. Дроздовa, А. В. Колядинb, С. А. Королевa, Д. Б. Радищевc, Е. А. Суровегинаa, В. И. Шашкинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b ООО "'Нью Даймонд Технолоджи", Санкт-Петербург, Россия
c Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Методами оптической интерференционной микроскопии белого света, атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены комплексные исследования морфологических и структурных свойств серии монокристаллических HPHT алмазных подложек. Описаны методики, позволяющие охарактеризовать наиболее критичные для эпитаксиального применения параметры подложек на лабораторном оборудовании. Показано, что характеризации алмазных подложек только по ювелирному типу недостаточно при оценке возможности их использования для эпитаксиального роста CVD-алмаза.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46592.14


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1432–1436

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024