Низкотемпературная электропроводность в кристаллическом германии с большой концентрацией дефектов в области перехода металл–изолятор

В германии с большой концентрацией дефектов структуры изучена низкотемпературная электропроводность по дефектной и примесной зонам вблизи перехода металл–изолятор (ПМИ). Экспериментально показано, что в дефектной зоне слабо легированного германия на диэлектрической стороне ${\sigma(T)\sim\exp[-(T_{0}/T)^{0.5}]}$, в окрестности перехода ${\sigma(T)\sim T^{x}}$. Обнаружено состояние с «максимальной» электропроводностью по радиационным дефектам. Исследованы электропроводность германия, легированного надкадмиевыми нейтронами, и влияние изохронного отжига на низкотемпературную электропроводность структурно разупорядоченного германия.