Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира

Методом рентгеновской дифрактометрии исследована деформация эпитаксиального слоя (0001)GaN на $a$-срезе (1120) сапфира. По литературным данным о коэффициентах температурного расширения нитрида галлия и сапфира вычислена анизотропная деформация слоя. Сравнение вычисленной и экспериментальной деформации подтверждает гипотезу о термоупругом характере деформации GaN на $a$-срезе сапфира. Этот результат позволяет, в частности, проводить теоретические оценки упругой деформации и пьезополя в псевдоморфных гетероструктурах, использующих слои GaN на $a$-срезе сапфира в качестве виртуальной подложки или буферного слоя.