RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 251–256 (Mi phts57)

Модуляция рельефа зон в монокристаллических сплавах 2РbТе$-$TlВiТе$_{2}$

Н. Ю. Артюшина, А. В. Давыдов, В. П. Зломанов, Л. И. Рябова, М. Е. Тамм

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления ($\rho$), эффект Холла, кинетика фотопроводимости (ФП) и вольтамперные характеристики (ВАХ) в сплавах 2РbТе$-$ТiВiТе$_{2}$ в области концентраций TlBiTe$_{2}$ до 10 мол%. При введении в ростовую шихту 2 мол% TlBiTe$_{2}$ обнаружено, что в монокристаллическом слитке имеется область с высокой степенью компенсации. Свойства компенсированных образцов характеризуются рядом особенностей.
На зависимостях ${\textrm{lg}\rho(10^{2}/T}$) наблюдаются активационные участки с энергией активации ${\mathcal{E}_{A}\sim110{-}140}$ мэВ. При ${T\lesssim100}$ K наблюдается явление задержанной ФП, а ВАХ являются экспоненциальными в сравнительно слабых электрических полях ${E\lesssim2}$ В/см.
Полученные результаты свидетельствуют о модуляции зонного рельефа, которая может быть индуцирована макроскопически неупорядоченным распределением Тl и Bi в кристаллической решетке РbТе. По оценкам, амплитуда модулирующего потенциала имеет порядок ${\sim100}$ МэВ, пространственное разделение барьеров ${l\sim 50}$ мкм.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 29.04.1985
Принята в печать: 23.07.1985



© МИАН, 2024