RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 2, страницы 291–295 (Mi phts570)

Особенности барьерной емкости $p^{+}{-}n$-структур в режиме инжекции

В. К. Еремин, А. М. Иванов, Н. Б. Строкан


Аннотация: Рассмотрено влияние электрического тока на температурную зависимость барьерной емкости $p^{+}{-}n$-перехода. Показано, что ход термостимулированной емкости в условиях инжекции может определяться отслеживанием стационарной емкостью изменения $T$.



© МИАН, 2024