К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11,страницы 1384

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках

К. Е. Кудрявцев^ab, А. А. Дубинов^ab, В. Я. Алешкин^ab, Д. В. Юрасов^a, П. В. Горлачук^c, Ю. Л. Рябоштан^c, А. А. Мармалюк^c, А. В. Новиков^ab, З. Ф. Красильник^a

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на “виртуальной подложке” Ge/Si(100) с использованием буферных слоев GaAs и InP выращены “гибридные” лазерные структуры с квантовыми ямами AlGaInAs. При оптической накачке полученных образцов достигнуто стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм при температуре жидкого азота. Порог возникновения стимулированного излучения составил 30–70 кВт/см$^{2}$.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46603.25