Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления

Исследованы спектры излучения структур на основе пленок ZnO, нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления. В спектрах ФЛ ($T$ = 300 K) структур $n$-ZnO/$p$-GaN:Mg наблюдались ярко выраженные линии излучения, связанные с рекомбинацией свободных ($\lambda$ = 363 нм) и связанных экситонов $\lambda$ = (377, 390, 410) нм, в области примесной ФЛ $\lambda$ = (450–600) нм существенного излучения не наблюдалось. В спектрах ЭЛ структур $n$-ZnO/$p$-ZnO ($T$ = 300 K) имелись лишь линии излучения, характерные для $n$-ZnO ($\lambda$ = 374 нм).