RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1120–1125 (Mi phts5704)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления

И. Е. Свитенковa, В. Н. Павловскийa, Е. В. Луценкоa, Г. П. Яблонскийa, В. Я. Ширипов, Е. А. Хохлов, А. В. Мудрыйb, В. Д. Живулькоb, О. М. Бородавченкоb, М. В. Якушевc

a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Обнаружено стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In,Ga)Se$_{2}$, сформированных методом магнетронного напыления на слое фторида натрия, осаждeнном на слой молибдена на стеклянной подложке. Определены структурные и оптические характеристики пленок с использованием методов сканирующей электронной микроскопии, рентгеноспектрального локального микроанализа, рентгеноструктурного анализа и низкотемпературной ($T$ = 10 K) люминесценции в интервале уровней возбуждения 1.6–75 кВт/см$^{2}$ наносекундными импульсами азотного лазера. Порог стимулированного излучения составил $\sim$25 кВт/см$^{2}$. Сравнительный анализ излучения тонких пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$ указывает на то, что введение натрия приводит к значительному улучшению кристаллического качества – уменьшению плотности энергетических состояний в хвостах зон и концентрации безызлучательных центров рекомбинации.

Поступила в редакцию: 04.04.2018
Принята в печать: 16.04.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46450.8880


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:10, 1238–1243

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024