Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности

Экспериментально и теоретически исследованы фотовольтаические структуры на основе GaAs $p$-$i$-$n$-перехода, содержащие в области пространственного заряда различное количество слоев In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, образующих квантово-размерные объекты. Для всех структур были проанализированы зависимости напряжения холостого хода от кратности солнечного излучения. Показано, что введение квантовых объектов приводит к доминированию рекомбинации в них над рекомбинацией в матрице, что проявляется в падении напряжения холостого хода. Увеличение количества слоев In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As приводит к пропорциональному увеличению темпа рекомбинации, что выражается в пропорциональном росте тока насыщения" и соответствует предложенной в работе модели.