RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1137–1144 (Mi phts5707)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)

Ю. К. Ундаловa, Е. И. Теруковab, И. Н. Трапезниковаa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Проведено изучение влияния различных режимов работы модулированной по времени DC-плазмы на формирование аморфной матрицы a-SiO$_{x}$:H и нанокластеров кремния с помощью ИК-спектров и спектров фотолюминесценции. Модуляция DC-плазмы заключалась в многократном ($n$ = 180) выключении и включении катушки магнита магнетрона с различным сочетанием времени $t_{\operatorname{off}}$=1, 2, 5, 10, 15 с и t$_{\operatorname{on}}$ =5, 10, 15 с соответственно, при неизменной концентрации кислорода (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%) в (SiH$_{4}$ + Ar + О$_{2}$)-газовой смеси. Подтверждено положительное влияние эффекта самоиндукции на формирование как аморфной матрицы, так и нанокластеров кремния. Наибольшие значения $x$ в $a$-SiO$_{x}$:H и интенсивности фотолюминесценции наблюдались при сочетании длительного пребывания плазмы в рабочем состоянии (t$_{\operatorname{on}}$ = 10–15 с) и наибольшего значения напряженности магнитного поля. Замечено также влияние величины $t_{\operatorname{off}}$ на процессы формирования как матрицы $a$-SiO$_{x}$:H, так и нанакластеров кремния.

Поступила в редакцию: 07.02.2018
Принята в печать: 26.03.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46453.8838


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:10, 1255–1263

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024