RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1172–1176 (Mi phts5710)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Спектры люминесценции мощных светодиодов на основе нитрида галлия в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра

В. В. Волковa, Л. М. Коганb, А. Н. Туркинa, А. Э. Юновичa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Научно-производственный центр "Оптэл", Москва, Россия

Аннотация: Изучены спектры электролюминесценции мощных светодиодов на основе $p$$n$-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, излучающих в видимой коротковолновой и ультрафиолетовой областях спектра (диапазон от 370 до 460 нм). Форма спектров описана моделью, учитывающей двумерную комбинированную плотность состояний и флуктуации потенциала. В спектрах излучения обнаружены дополнительные длинноволновые пики. Мощность излучения ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов достигает 233 мВт при токе 350 мА, внешний квантовый выход – до 23% в максимуме (вблизи тока 100 мА).

Поступила в редакцию: 23.11.2017
Принята в печать: 11.12.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46456.8775


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:10, 1293–1297

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024