Аннотация:
Изучены спектры электролюминесценции мощных светодиодов на основе $p$–$n$-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, излучающих в видимой коротковолновой и ультрафиолетовой областях спектра (диапазон от 370 до 460 нм). Форма спектров описана моделью, учитывающей двумерную комбинированную плотность состояний и флуктуации потенциала. В спектрах излучения обнаружены дополнительные длинноволновые пики. Мощность излучения ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов достигает 233 мВт при токе 350 мА, внешний квантовый выход – до 23% в максимуме (вблизи тока 100 мА).
Поступила в редакцию: 23.11.2017 Принята в печать: 11.12.2017