RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 990–994 (Mi phts5728)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Эффект Пула–Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния

А. А. Ширяевa, В. М. Воротынцевb, Е. Л. Шоболовa

a Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева

Аннотация: Предложено применить эффект Пула–Френкеля для прогнозирования радиационно-индуцированного накопления заряда в термическом диоксиде кремния. Были рассмотрены различные механизмы электропроводности термического диоксида кремния, определены условия возникновения в нем эффекта Пула–Френкеля и рассчитаны характеристики донорных центров, участвующих в электропроводности Пула–Френкеля. Определен уровень донорных центров с энергией 2.34 эВ ниже дна зоны проводимости и получена концентрация ионизированных донорных центров, равная 1.0 $\cdot$ 10$^{9}$ см$^{-3}$ при температуре 400 K и напряженности поля 10 МВ/см. Сделано заключение, что эффект Пула–Френкеля можно применить не для прогнозирования абсолютного значения радиационно-индуцированного заряда, а для сравнения образцов по способности его накапливать.

Поступила в редакцию: 07.11.2017
Принята в печать: 29.11.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46143.8762


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1114–1117

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024