Аннотация:
Тонкие пленки SnO$_{2}$, стабилизированные Zr, были получены ионно-лучевым реактивным распылением. В одном технологическом процессе были синтезированы аморфные тонкопленочные образцы SnO$_{2}$ с различной концентрацией Zr. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. В тонкопленочных системах Sn–Zr–O начало процесса кристаллизации наблюдается при температурах 673 и 773 K, что сопровождается появлением метастабильных фаз. При нагреве до 873 K эти фазы преобразуются в Sn + Sn$_{2}$O$_{3}$.
Было обнаружено,что после кристаллизации пленок процесс электропереноса при температурах, близких к комнатной, является термоактивационным с энергией активации $\sim$0.78 эВ. Пленки оксида олова, легированные Zr от 0.6 до 3.9 ат%, после кристаллизации проявляют свойства газовой чувствительности к водороду.
Поступила в редакцию: 21.12.2017 Принята в печать: 05.02.2018