Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

Созданы и исследованы неохлаждаемые GaSb/GaAlAsSb-фотодиоды для спектрального диапазона 1.1–1.85 мкм. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области $n$ = 2 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Емкость фотодиодов составляла 70–110 пФ при диаметре чувствительной площадки 300 мкм и 150-250 пФ при диаметре 500 мкм соответственно. Для приборов на основе GaSb разработанные фотодиоды характеризуются высокой спектральной чувствительностью $S_\lambda$ = 0.95 А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока $j$ = (4–9) $\cdot$ 10$^{-3}$ А/см$^{2}$ при $U_{\operatorname{rev}}$ = 1.0–2.0 В, высоким быстродействием (время отклика 5–10 нс).