RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 844–846 (Mi phts5751)

Электронные свойства полупроводников

Оптическое поглощение поликристаллических слоев сульфида цинка, активированного медью

В. Т. Аванесян, А. В. Ракина, Н. С. Каблукова

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы характеристики оптического поглощения после предварительной термической обработки поликристаллических слоев сульфида цинка, легированного медью. Состав исследуемого соединения контролировался методом рентгенофлуоресцентного анализа. По краю фундаментального поглощения оценены ширина запрещенной зоны $E_{g}$ и характеристическая энергия Урбаха. Обсуждается вклад в изменение оптических свойств дефектов структуры и примесного фактора.

Поступила в редакцию: 10.10.2017
Принята в печать: 18.10.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46234.8748


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:8, 977–979

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024