Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник–кристаллический диэлектрик–Si(111)

Теоретически исследован туннельный транспорт носителей через тонкий слой диэлектрика (для примера рассмотрен CaF$_{2}$) между кремниевой подложкой ориентации (111) и полупроводниковым затвором. Наряду с сохранением большого по величине поперечного волнового вектора туннелирующих частиц учтено ограничение на наличие состояний в затворе. Из-за этого ограничения туннельные токи при малых напряжениях на диэлектрике оказываются меньше, чем в аналогичной структуре с металлическим затворным электродом. Эта же особенность обусловливает изменение вида энергетического распределения туннелирующих электронов, причем как при транспорте между зонами проводимости подложки и затвора, так и при переносе зона проводимости Si(111) – валентная зона затвора.