Аннотация:
Представлены результаты теоретических исследований электронных и магнитных свойств ZnO, содержащего дефекты (атом внедрения Cr, вакансии Zn и O) в кристаллической структуре. Расчеты выполнялись с использованием программных комплексов Atomistix Tool Kit и Vienna Ab-initio Simulation Package, реализующих метод функционала электронной плотности с xаббард коррекцией. Показано, что магнитный момент дефектной суперъячейки имеет сильную зависимость от концентрации примеси и наличия вакансий. Внедрение атома кислорода повышает вероятность образования вакансии цинка.
Поступила в редакцию: 13.11.2017 Принята в печать: 28.11.2017