RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 931–938 (Mi phts5766)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Деградация фотолюминесценции тонких пленок ZnTPP и ZnTPP-C$_{60}$ под действием гамма-облучения

Н. М. Романовab, М. А. Елистратоваc, E. Lahderantab, И. Б. Захароваa

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Порфирины и их комплексы с фуллереном являются перспективными материалами для реализации органических фотовольтаических структур. Однако стабильность свойств органических компонент под действием жесткого облучения практически не изучена. В работе исследовано влияние $\gamma$-облучения средними (порядка 10$^{4}$ Гр) и большими (10$^{7}$ Гр) дозами на фотолюминесценцию тонких структурно-совершенных пленок, как чистого порфирина ZnTPP, так и композитных пленок ZnTPP/C$_{60}$ в молярном соотношении 1.3 : 1. Показано, что под действием gamma-облучения интенсивность электронного излучательного перехода (626 нм) уменьшается, причем дозовая зависимость носит пороговый характер. Пороговая доза составляет $\sim$20 кГр для пленок ZnTPP. В обоих типах образцов интенсивность электронно-колебательной части спектральной зависимости ФЛ (670–690 нм) увеличивалась при начальных дозах облучения и при дальнейшем возрастании дозы облучения уменьшается слабее, чем для чисто электронного перехода. В нанокомпозитных пленках добавление фуллерена в $\sim$2.5 раза увеличивает пороговую дозу, после которой начинается деградация ФЛ пленок. При этом спектральные составляющие ФЛ, связанные с проявлением излучения фуллерена С$_{60}$, более стабильны под действием $\gamma$-облучения.

Поступила в редакцию: 11.01.2018
Принята в печать: 28.01.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46222.8816


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:8, 1061–1067

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024