RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 954–957 (Mi phts5770)

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре

А. В. Бабичевab, А. Г. Гладышевb, А. С. Курочкинa, Е. С. Колодезныйa, Г. С. Соколовскийacd, В. Е. Бугровa, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, A. Bousseksoue, А. Ю. Егоровa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
e Center of Nanoscience and Nanotechnology (C2N), Universite, Paris Sud and Paris-Saclay

Аннотация: Продемонстрирована лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре на длине волны излучения 8 мкм при накачке импульсами тока. Гетероструктура квантово-каскадного лазера на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/Al$_{0.48}$In$_{0.52}$As, согласованной с подложкой InP, выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии и состоит из 50 идентичных каскадов, помещенных в волновод с верхней воздушной обкладкой. Плотность порогового тока при температуре 300 K для полоскового лазера с длиной резонатора 1.4 мм и шириной полоска 24 мкм составляет $\sim$5.1 кA/см$^{2}$.

Поступила в редакцию: 01.02.2018
Принята в печать: 12.02.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46226.8834


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:8, 1082–1085

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024