Поперечный эффект Нернста–Эттингсгаузена в сверхрешетках при электрон-фононном рассеянии

Вычислен коэффициент Нернста–Эттингсгаузена в сверхрешетках с косинусоидальным законом дисперсии при рассеянии носителей тока на акустических и полярных оптических фононах в магнитном поле в плоскости слоя. Показано, что в слабом магнитном поле имеет место существенное увеличение коэффициента Нернста–Эттингсгаузена квазитрехмерного вырожденного электронного газа. При рассеянии на полярных оптических фононах коэффициент Нернста–Эттингсгаузена в сильном магнитном поле меняет знак.