RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 745–750 (Mi phts5784)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223–293 K

С. А. Козюхинab, С. А. Бединc, П. Г. Рудаковскаяa, О. С. Ивановаa, В. К. Ивановad

a Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский Томский государственный университет
c Московский государственный педагогический университет, Москва
d Московский технологический университет, г. Москва

Аннотация: Исследованы диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в интервале температур 223–293 K и в диапазоне частот $\nu$ = 10$^{-2}$–10$^{6}$ Гц. Порошки WO$_{3}$ с размерами частиц 110, 150 и 200 нм были приготовлены термической обработкой паравольфрамата аммония при различных температурах. Установлено, что для всех образцов частотные зависимости проводимости являются возрастающими с увеличением частоты, в то время как поляризационные характеристики $\varepsilon'(\nu)$ и $\varepsilon''(\nu)$ уменьшаются. Найдено, что частотные зависимости проводимости описываются функцией вида $\nu^{s}$ с показателем степени, находящимся в диапазоне (0.83 – 0.90) $\pm$ 0.01, что свойственно “прыжковому” механизму перемещения заряженных частиц (комплексов) по локализованным состояниям, ограниченным потенциальными барьерами и дефектами структуры.

Поступила в редакцию: 30.08.2017
Принята в печать: 12.09.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46046.8719


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 885–890

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024