RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 792–795 (Mi phts5792)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния

Е. И. Теруковab, А. С. Абрамовb, Д. А. Андрониковb, К. В. Емцевb, И. Е. Панайоттиa, A. С. Титовab, Г. Г. Шелопинb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование рабочих характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе пластин монокристаллического кремния уменьшенной толщины. Установлено, что при уменьшении толщины кремниевых пластин на 40% по сравнению со стандартными значениями происходит ухудшение эффективности фотоэлектрического преобразования до 5%. Полученные результаты имеют практическую ценность для оценки коммерческой целесообразности производства солнечных элементов уменьшенной толщины.

Поступила в редакцию: 30.11.2017
Принята в печать: 11.12.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46054.8781


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 931–933

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024