Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления

Методом селективной газофазной эпитаксии в окнах, сформированных сфокусированным ионным пучком, в слое Si$_{3}$N$_{4}$ были сформированы коаксиальные и одиночные GaN-структуры субмикронных размеров гексагональной формы с пирамидальными гранями. Установлено, что при росте структур в окнах маски, имеющих кольцевую форму, в процессе роста происходит формирование коаксиальных гексагональных структур.